ON Semiconductor FDN337N

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

10 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

质量

30mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.2A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

500mW Ta

Turn Off Delay Time

17 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

1998

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

电阻

65mOhm

附加功能

逻辑电平兼容

电压 - 额定直流

30V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

2.2A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

资历状况

不合格

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

500mW

接通延迟时间

4 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

65m Ω @ 2.2A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

300pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

9nC @ 4.5V

上升时间

10ns

Vgs（最大值）

±8V

下降时间（典型值）

4 ns

连续放电电流(ID)

2.2A

阈值电压

700mV

栅极至源极电压(Vgs)

8V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2A

漏源击穿电压

30V

双电源电压

30V

最大结点温度（Tj）

150°C

栅源电压

700 mV

高度

1.12mm

长度

2.92mm

宽度

3.05mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅