ON Semiconductor FDN359BN

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)

工厂交货时间

10 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

质量

30mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.7A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

500mW Ta

Turn Off Delay Time

20 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

46mOhm

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

30V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

2.7A

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

500mW

接通延迟时间

7 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

46m Ω @ 2.7A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

650pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

7nC @ 5V

上升时间

5ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

5 ns

连续放电电流(ID)

2.7mA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

栅源电压

1.8 V

高度

940μm

长度

2.92mm

宽度

1.4mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅