FDP075N15A-F102
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ON Semiconductor FDP075N15A-F102

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型号

FDP075N15A-F102

utmel 编号

1807-FDP075N15A-F102

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-220-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 150V 130A TO-220-3

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FDP075N15A-F102
FDP075N15A-F102 ON Semiconductor MOSFET N-CH 150V 130A TO-220-3

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FDP075N15A-F102详情

ON Semiconductor FDP075N15A-F102重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

  • 工厂交货时间

    16 Weeks

  • 触点镀层

    Tin

  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-220-3

  • 引脚数

    3

  • 质量

    1.8g

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    130A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    333W Tc

  • Turn Off Delay Time

    62 ns

  • 操作温度

    -55°C~175°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 系列

    PowerTrench®

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • 电阻

    6.25MOhm

  • 附加功能

    ULTRA-LOW RESISTANCE

  • 通道数量

    1

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    333W

  • 接通延迟时间

    28 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    7.5m Ω @ 100A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    7350pF @ 75V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    100nC @ 10V

  • 上升时间

    37ns

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 下降时间(典型值)

    21 ns

  • 连续放电电流(ID)

    130A

  • JEDEC-95代码

    TO-220AB

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏源击穿电压

    150V

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    522A

  • 雪崩能量等级(Eas)

    588 mJ

  • 最大结点温度(Tj)

    175°C

  • 高度

    19.85mm

  • 长度

    10.36mm

  • 宽度

    4.672mm

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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