ON Semiconductor FDP2710
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FDP2710
1807-FDP2710
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
大陆
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MOSFET N-CH 250V 50A TO-220
--最小包装量--
FDP2710详情
ON Semiconductor FDP2710重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
9 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
质量
1.8g
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
50A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
260W Tc
Turn Off Delay Time
112 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
PowerTrench®
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电阻
42.5MOhm
端子表面处理
Tin (Sn)
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
资历状况
不合格
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
260W
接通延迟时间
80 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
42.5m Ω @ 25A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
7280pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
101nC @ 10V
上升时间
252ns
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
154 ns
连续放电电流(ID)
50A
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
30V
漏源击穿电压
250V
高度
16.51mm
长度
10.67mm
宽度
4.83mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FDP2710拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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ON Semiconductor
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