ON Semiconductor FDP52N20

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

4 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

质量

1.8g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

52A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

357W Tc

Turn Off Delay Time

48 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

UniFET™

已出版

2007

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

49MOhm

附加功能

雪崩能源评级

电压 - 额定直流

200V

额定电流

52A

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

357W

接通延迟时间

53 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

49m Ω @ 26A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2900pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

63nC @ 10V

上升时间

175ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

29 ns

连续放电电流(ID)

52A

阈值电压

5V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

200V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

208A

雪崩能量等级（Eas）

2520 mJ

高度

9.4mm

长度

10.1mm

宽度

4.7mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅