ON Semiconductor FDPF44N25T
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FDPF44N25T
1807-FDPF44N25T
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3 Full Pack
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MOSFET N-CH 250V 44A TO-220F
--最小包装量--
FDPF44N25T详情
ON Semiconductor FDPF44N25T重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
4 Weeks
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack
底架
通孔
引脚数
3
质量
2.27g
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
44A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
38W Tc
Turn Off Delay Time
85 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
UniFET™
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电阻
69mOhm
端子表面处理
Tin (Sn)
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
资历状况
不合格
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
38W
箱体转运
ISOLATED
接通延迟时间
53 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
69m Ω @ 22A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2870pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
61nC @ 10V
上升时间
402ns
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
112 ns
连续放电电流(ID)
44A
阈值电压
3V
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
30V
漏源击穿电压
250V
雪崩能量等级(Eas)
2055 mJ
宽度
4.9mm
长度
10.36mm
高度
16.07mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FDPF44N25T拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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