ON Semiconductor FDS3580

工厂交货时间

11 Weeks

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

8

质量

130mg

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta

Turn Off Delay Time

34 ns

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7.6A Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

已出版

2000

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

电阻

29mOhm

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

80V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

7.6A

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

接通延迟时间

13 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

29m Ω @ 7.6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1800pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

46nC @ 10V

上升时间

8ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

16 ns

连续放电电流(ID)

7.6A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

80V

宽度

3.9mm

长度

4.9mm

高度

1.575mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅