注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥17.854866
10
¥16.844216
100
¥15.890768
500
¥14.991287
1000
¥14.142726
ON Semiconductor FDS6064N3
- 收藏
- 对比
FDS6064N3
1807-FDS6064N3
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 20V 23A 8-SOIC
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FDS6064N3详情
ON Semiconductor FDS6064N3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
供应商器件包装
8-SO
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
23A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V 4.5V
Power Dissipation (Max)
3W Ta
Turn Off Delay Time
153 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2003
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终端
SMD/SMT
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
20V
额定电流
23A
功率耗散
3W
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
4mOhm @ 23A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
7191pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
98nC @ 4.5V
上升时间
22ns
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±8V
下降时间(典型值)
77 ns
连续放电电流(ID)
23A
阈值电压
600mV
栅极至源极电压(Vgs)
8V
漏源击穿电压
20V
双电源电压
20V
输入电容
7.191nF
漏源电阻
3.4mOhm
最大rds
4 mΩ
栅源电压
600 mV
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
FDS6064N3拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor







哦! 它是空的。