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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥17.958046
10
¥16.941553
100
¥15.982598
500
¥15.077924
1000
¥14.224452
ON Semiconductor FDS6162N3
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- 对比
FDS6162N3
1807-FDS6162N3
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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MOSFET N-CH 20V 21A 8-SOIC
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FDS6162N3详情
ON Semiconductor FDS6162N3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
供应商器件包装
8-SO
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
21A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
3W Ta
Turn Off Delay Time
85 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2003
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
20V
额定电流
21A
功率耗散
3W
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
4.5mOhm @ 21A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5521pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
73nC @ 4.5V
上升时间
25ns
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±12V
下降时间(典型值)
55 ns
连续放电电流(ID)
21A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
漏源击穿电压
20V
输入电容
5.521nF
漏源电阻
45mOhm
最大rds
4.5 mΩ
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
FDS6162N3拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor







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