ON Semiconductor FDS6682

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

18 Weeks

底架

表面贴装

包装/外壳

SOIC

引脚数

8

质量

130mg

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

44 ns

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2004

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

电阻

7.5MOhm

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

30V

最大功率耗散

1W

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

14A

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5mW

接通延迟时间

10 ns

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

7ns

漏源电压 (Vdss)

30V

极性/通道类型

N-CHANNEL

下降时间（典型值）

16 ns

连续放电电流(ID)

14A

阈值电压

1.7V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

双电源电压

30V

输入电容

2.31nF

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

漏源电阻

5.7mOhm

最大rds

7.5 mΩ

栅源电压

1.7 V

高度

1.5mm

长度

5mm

宽度

4mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅