ON Semiconductor FDS8884

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)

工厂交货时间

18 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

质量

130mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8.5A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta

Turn Off Delay Time

42 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

已出版

2006

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

附加功能

快速切换

电压 - 额定直流

30V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

8.5A

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

接通延迟时间

5 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

23m Ω @ 8.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

635pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

13nC @ 10V

上升时间

9ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

21 ns

连续放电电流(ID)

8.5A

阈值电压

1.7V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.023Ohm

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

40A

雪崩能量等级（Eas）

32 mJ

高度

1.5mm

长度

5mm

宽度

4mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅