ON Semiconductor FDT3612

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

工厂交货时间

8 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

引脚数

3

质量

250.2mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.7A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3W Ta

Turn Off Delay Time

23 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

电阻

120MOhm

电压 - 额定直流

100V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

3.7A

JESD-30代码

R-PDSO-G4

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

3W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

8.5 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

120m Ω @ 3.7A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

632pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

20nC @ 10V

上升时间

2ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

4.5 ns

连续放电电流(ID)

3.7A

阈值电压

2.5V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

100V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

20A

雪崩能量等级（Eas）

90 mJ

最大结点温度（Tj）

150°C

栅源电压

2.5 V

高度

1.8mm

长度

6.5mm

宽度

3.56mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅