ON Semiconductor FDT86246

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 12 hours ago)

工厂交货时间

8 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

引脚数

4

质量

250.2mg

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.2W Ta

Turn Off Delay Time

4.6 ns

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2A Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

ULTRA-LOW RESISTANCE

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.2W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

7.8 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

236m Ω @ 2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

215pF @ 75V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

4nC @ 10V

上升时间

2.3ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

1.2 ns

连续放电电流(ID)

2A

阈值电压

3.1V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2A

漏极-源极导通最大电阻

0.236Ohm

漏源击穿电压

150V

栅源电压

3.1 V

反馈上限-最大值 (Crss)

5 pF

长度

3.7mm

高度

1.7mm

宽度

6.7mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant