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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥13.33578
10
¥12.58093
100
¥11.868799
500
¥11.196982
1000
¥10.563186
ON Semiconductor FDW258P
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- 对比
FDW258P
1807-FDW258P
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
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MOSFET P-CH 12V 9A 8-TSSOP
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FDW258P详情
ON Semiconductor FDW258P重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
引脚数
8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.3W Ta
Turn Off Delay Time
201 ns
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
9A Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2002
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电压 - 额定直流
-12V
额定电流
-9A
功率耗散
1.3W
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
11m Ω @ 9A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5049pF @ 5V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
73nC @ 4.5V
上升时间
23ns
漏源电压 (Vdss)
12V
Vgs(最大值)
±8V
下降时间(典型值)
23 ns
连续放电电流(ID)
9A
栅极至源极电压(Vgs)
8V
漏源击穿电压
-12V
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
FDW258P拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor







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