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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥6.74612
10
¥6.364264
100
¥6.004023
500
¥5.664173
1000
¥5.343558
ON Semiconductor FDW2508P
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- 对比
FDW2508P
1807-FDW2508P
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
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MOSFET 2P-CH 12V 6A 8-TSSOP
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FDW2508P详情
ON Semiconductor FDW2508P重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
引脚数
8
供应商器件包装
8-TSSOP
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
6A
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
122 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
-12V
最大功率耗散
1W
额定电流
-6A
功率耗散
1.3W
接通延迟时间
14 ns
功率 - 最大
1W
场效应管类型
2 P-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
18mOhm @ 6A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2644pF @ 6V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
36nC @ 4.5V
上升时间
9.1ns
漏源电压 (Vdss)
12V
下降时间(典型值)
9.1 ns
连续放电电流(ID)
6A
阈值电压
-500mV
栅极至源极电压(Vgs)
8V
漏源击穿电压
-12V
输入电容
2.644nF
场效应管特性
逻辑电平门
漏源电阻
18mOhm
最大rds
18 mΩ
高度
1mm
长度
3mm
宽度
4.4mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
FDW2508P拓展信息








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