注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥7.506821
10
¥7.081906
100
¥6.681045
500
¥6.302876
1000
¥5.946105
ON Semiconductor FDW262P
- 收藏
- 对比
FDW262P
1807-FDW262P
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
大陆
立即发货

MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-TSSOP
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FDW262P详情
ON Semiconductor FDW262P重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
引脚数
8
供应商器件包装
8-TSSOP
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
4.5A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.3W Ta
Turn Off Delay Time
36 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2001
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终端
SMD/SMT
电阻
100mOhm
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
-20V
额定电流
-4.5A
功率耗散
1.3W
接通延迟时间
11 ns
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
47mOhm @ 4.5A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1193pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
18nC @ 4.5V
上升时间
9ns
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±8V
下降时间(典型值)
9 ns
连续放电电流(ID)
4.5A
栅极至源极电压(Vgs)
8V
漏源击穿电压
-20V
双电源电压
-20V
输入电容
1.193nF
漏源电阻
47mOhm
最大rds
47 mΩ
栅源电压
800 mV
高度
1mm
长度
3mm
宽度
4.4mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
FDW262P拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor







哦! 它是空的。