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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥9.209597
10
¥8.6883
100
¥8.19651
500
¥7.732559
1000
¥7.294863
ON Semiconductor FDW2506P
- 收藏
- 对比
FDW2506P
1807-FDW2506P
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
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MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-TSSO
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FDW2506P详情
ON Semiconductor FDW2506P重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
引脚数
8
供应商器件包装
8-TSSOP
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
5.3A
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
75 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2000
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
-20V
最大功率耗散
1W
额定电流
-5.3A
功率耗散
1W
接通延迟时间
13 ns
功率 - 最大
600mW
场效应管类型
2 P-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
22mOhm @ 5.3A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1015pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
34nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
20V
连续放电电流(ID)
5.3A
阈值电压
800mV
栅极至源极电压(Vgs)
12V
漏源击穿电压
-20V
输入电容
1.015nF
场效应管特性
逻辑电平门
漏源电阻
22mOhm
最大rds
22 mΩ
高度
1mm
长度
3mm
宽度
4.4mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
FDW2506P拓展信息








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