ON Semiconductor FGD3N60LSDTM-T
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FGD3N60LSDTM-T
1807-FGD3N60LSDTM-T
晶体管 - IGBT - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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INTEGRATED CIRCUIT
1最小包装量--
FGD3N60LSDTM-T详情
ON Semiconductor FGD3N60LSDTM-T重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Current-Collector (Ic) (Max)
6A
Test Conditions
480V, 3A, 470 Ω, 10V
操作温度
-55°C~150°C TJ
已出版
2004
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
不适用
输入类型
Standard
功率 - 最大
40W
反向恢复时间
234ns
电压 - 集射极击穿(最大值)
600V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.5V @ 10V, 3A
闸门收费
12.5nC
集极脉冲电流(Icm)
25A
Td(开/关)@25°C
40ns/600ns
开关能量
250μJ (on), 1mJ (off)
FGD3N60LSDTM-T拓展信息
ON Semiconductor
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