FGH4L50T65SQD
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ON Semiconductor FGH4L50T65SQD

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型号

FGH4L50T65SQD

utmel 编号

1807-FGH4L50T65SQD

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

TO-247-4

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IGBT Transistors FS4 T TO247 50A 650V 4L

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FGH4L50T65SQD
FGH4L50T65SQD ON Semiconductor IGBT Transistors FS4 T TO247 50A 650V 4L

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FGH4L50T65SQD详情

ON Semiconductor FGH4L50T65SQD重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    TO-247-4

  • Mounting Styles

    通孔

  • Collector- Emitter Voltage VCEO Max

    650 V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    1.6 V

  • Maximum Gate Emitter Voltage

    - 20 V, + 20 V

  • Continuous Collector Current at 25 C

    80 A

  • Pd - Power Dissipation

    268 W

  • Minimum Operating Temperature

    - 55 C

  • Maximum Operating Temperature

    + 175 C

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    30

  • Package Type

    TO-247-4LD

  • Maximum Collector Emitter Voltage

    650 V

  • Package

    Tube

  • 厂商

    onsemi

  • Product Status

    Obsolete

  • 系列

    -

  • 配置

    Single

  • 功率耗散

    268W

  • 连续集电极电流

    80A

0个相似型号

技术文档: ON Semiconductor FGH4L50T65SQD.

FGH4L50T65SQD拓展信息

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