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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥99.500383
10
¥93.868289
100
¥88.554987
500
¥83.542442
1000
¥78.81362
ON Semiconductor FGH60N60SMD-F085
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- 对比
FGH60N60SMD-F085
1807-FGH60N60SMD-F085
晶体管 - IGBT - 单个
TO-247-3
大陆
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IGBT 600V 120A 600W TO247
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FGH60N60SMD-F085详情
ON Semiconductor FGH60N60SMD-F085重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
5 Weeks
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
表面安装
NO
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
120A
Number of Elements
1
Test Conditions
400V, 60A, 3 Ω, 15V
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
Automotive, AEC-Q101
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
SINGLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PSFM-T3
上升时间-最大值
60ns
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
箱体转运
COLLECTOR
输入类型
Standard
功率 - 最大
600W
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
反向恢复时间
42ns
JEDEC-95代码
TO-247AB
电压 - 集射极击穿(最大值)
600V
最大耗散功率(Abs)
600W
接通时间
66 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.5V @ 15V, 60A
关断时间-标准值(toff)
139 ns
IGBT类型
场站
闸门收费
280nC
集极脉冲电流(Icm)
180A
Td(开/关)@25°C
22ns/116ns
开关能量
1.59mJ (on), 390μJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
20V
栅极-发射极Thr电压-最大值
6V
最大下降时间 (tf)
20ns
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FGH60N60SMD-F085拓展信息
ON Semiconductor
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