ON Semiconductor FJI5603DTU

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

工厂交货时间

16 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

引脚数

3

质量

2.084g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

800V

Number of Elements

1

hFEMin

20

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

已出版

2014

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

100W

频率

5MHz

元素配置

Single

功率耗散

100W

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

5MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

800V

最大集电极电流

3A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 400mA 3V

最大集极截止电流

100μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

2.5V @ 200mA, 1A

转换频率

5MHz

集电极基极电压(VCBO)

1.6kV

发射极基极电压 (VEBO)

12V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅