ON Semiconductor FJN3301RBU

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

引脚数

3

质量

178.2mg

hFEMin

20

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Power Dissipation (Max)

300mW

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电压 - 额定直流

50V

额定电流

100mA

元素配置

Single

功率耗散

300mW

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

50V

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 10mA 5V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 500μA, 10mA

频率转换

250MHz

集电极基极电压(VCBO)

50V

发射极基极电压 (VEBO)

10V

连续集电极电流

100mA

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅