ON Semiconductor FJN3309RTA

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

引脚数

3

供应商器件包装

TO-92-3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V

Current-Collector (Ic) (Max)

100mA

hFEMin

100

包装

Tape & Box (TB)

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

40V

最大功率耗散

300mW

额定电流

100mA

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

300mW

功率 - 最大

300mW

晶体管类型

NPN - Pre-Biased

集电极发射器电压(VCEO)

40V

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 1mA 5V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 1mA, 10mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

40V

频率转换

250MHz

发射极基极电压 (VEBO)

5V

电阻基(R1)

4.7 kOhms

连续集电极电流

100mA

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅