ON Semiconductor FJN4305RTA
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FJN4305RTA
1807-FJN4305RTA
晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
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Transistors Switching - Resistor Biased PNP Si Transistor Epitaxial
--最小包装量--
FJN4305RTA详情
ON Semiconductor FJN4305RTA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间
36 Weeks
触点镀层
Tin
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
引脚数
3
质量
240mg
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Collector-Emitter Saturation Voltage
-300mV
Number of Elements
1
hFEMin
30
包装
Tape & Box (TB)
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
HTS代码
8541.21.00.95
电压 - 额定直流
-50V
最大功率耗散
300mW
端子位置
BOTTOM
额定电流
-100mA
基本部件号
FJN4305
极性
PNP
元素配置
Single
功率耗散
300mW
晶体管应用
SWITCHING
晶体管类型
PNP - Pre-Biased
集电极发射器电压(VCEO)
50V
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
30 @ 5mA 5V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 500μA, 10mA
转换频率
200MHz
最大击穿电压
50V
频率转换
200MHz
集电极基极电压(VCBO)
-50V
发射极基极电压 (VEBO)
-10V
电阻基(R1)
4.7 k Ω
连续集电极电流
-100mA
电阻-发射极基极(R2)
10 k Ω
高度
5.33mm
长度
5.2mm
宽度
4.19mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FJN4305RTA拓展信息
ON Semiconductor
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