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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.021772
500
¥0.751303
1000
¥0.626082
2000
¥0.574386
5000
¥0.536812
10000
¥0.499357
15000
¥0.48294
50000
¥0.474864
ON Semiconductor FJN4309RTA
- 收藏
- 对比
FJN4309RTA
1807-FJN4309RTA
晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
大陆
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Transistors Switching - Resistor Biased PNP Si Transistor Epitaxial
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FJN4309RTA详情
ON Semiconductor FJN4309RTA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
2 Weeks
生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
安装类型
通孔
底架
通孔
引脚数
3
质量
240mg
hFEMin
100
Number of Elements
1
Collector-Emitter Breakdown Voltage
40V
包装
Tape & Box (TB)
已出版
2016
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
附加功能
内置偏置电阻
HTS代码
8541.21.00.95
电压 - 额定直流
-40V
最大功率耗散
300mW
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
额定电流
-100mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
FJN4309
资历状况
不合格
极性
PNP
元素配置
Single
功率耗散
300mW
晶体管应用
SWITCHING
晶体管类型
PNP - Pre-Biased
集电极发射器电压(VCEO)
40V
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 1mA 5V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 1mA, 10mA
转换频率
200MHz
最大击穿电压
40V
频率转换
200MHz
集电极基极电压(VCBO)
-40V
发射极基极电压 (VEBO)
-5V
电阻基(R1)
4.7 k Ω
连续集电极电流
-100mA
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FJN4309RTA拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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