ON Semiconductor FJNS3215RBU

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 Short Body

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

hFEMin

33

包装

Bulk

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

300mW

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

300mW

晶体管类型

NPN - Pre-Biased

集电极发射器电压(VCEO)

50V

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

33 @ 10mA 5V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 500μA, 10mA

频率转换

250MHz

发射极基极电压 (VEBO)

10V

电阻基(R1)

2.2 k Ω

连续集电极电流

100mA

电阻-发射极基极(R2)

10 k Ω

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅