FJP5555ATU
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ON Semiconductor FJP5555ATU

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型号

FJP5555ATU

utmel 编号

1807-FJP5555ATU

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

封装

TO-220-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Bipolar Transistors - BJT

起订量

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FJP5555ATU
FJP5555ATU ON Semiconductor Bipolar Transistors - BJT

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FJP5555ATU详情

ON Semiconductor FJP5555ATU重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    TO-220-3

  • Package

    Bulk

  • 厂商

    PEI-Genesis

  • Product Status

    活跃

  • Emitter- Base Voltage VEBO

    14 V

  • Pd - Power Dissipation

    75 W

  • Transistor Polarity

    NPN

  • Maximum Operating Temperature

    + 150 C

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    1.5 V

  • Unit Weight

    0.080072 oz

  • Minimum Operating Temperature

    -

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    2000

  • Mounting Styles

    通孔

  • Gain Bandwidth Product fT

    -

  • Manufacturer

    onsemi

  • Brand

    onsemi / Fairchild

  • Maximum DC Collector Current

    5 A

  • DC Current Gain hFE Max

    40

  • RoHS

    Details

  • Collector- Emitter Voltage VCEO Max

    400 V

  • 系列

    *

  • 子类别

    Transistors

  • 技术

    Si

  • 配置

    Single

  • 产品类别

    BJTs - Bipolar Transistors

  • 集电极基极电压(VCBO)

    1.05 kV

  • 产品类别

    Bipolar Transistors - BJT

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技术文档: ON Semiconductor FJP5555ATU.

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