ON Semiconductor FJV3103RMTF

生命周期状态

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底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

质量

30mg

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Collector-Emitter Saturation Voltage

300mV

Number of Elements

1

hFEMin

56

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

附加功能

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

HTS代码

8541.21.00.95

电压 - 额定直流

50V

最大功率耗散

200mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

100mA

基本部件号

FJV3103

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

200mW

晶体管应用

SWITCHING

晶体管类型

NPN - Pre-Biased

集电极发射器电压(VCEO)

50V

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

56 @ 5mA 5V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 500μA, 10mA

转换频率

250MHz

最大击穿电压

50V

频率转换

250MHz

集电极基极电压(VCBO)

50V

发射极基极电压 (VEBO)

10V

电阻基(R1)

22 k Ω

连续集电极电流

100mA

电阻-发射极基极(R2)

22 k Ω

高度

930μm

长度

2.92mm

宽度

1.3mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅