ON Semiconductor FJV3110RMTF

生命周期状态

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)

工厂交货时间

13 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

质量

30mg

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V

Collector-Emitter Saturation Voltage

300mV

Number of Elements

1

hFEMin

100

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

附加功能

内置偏置电阻

HTS代码

8541.21.00.95

电压 - 额定直流

40V

最大功率耗散

200mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

100mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

FJV3110

资历状况

不合格

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

200mW

晶体管应用

SWITCHING

晶体管类型

NPN - Pre-Biased

集电极发射器电压(VCEO)

40V

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 1mA 5V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 1mA, 10mA

转换频率

250MHz

最大击穿电压

40V

频率转换

250MHz

集电极基极电压(VCBO)

40V

发射极基极电压 (VEBO)

10V

电阻基(R1)

10 k Ω

连续集电极电流

100mA

高度

930μm

长度

2.92mm

宽度

1.3mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅