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1000

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2000

￥0.578195
5000

￥0.540366
10000

￥0.502662
15000

￥0.486139
50000

￥0.478008

ON Semiconductor FJV4110RMTF

Name: FJV4110RMTF
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1807-FJV4110RMTF
Price: 1.03 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

FJV4110RMTF

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-FJV4110RMTF

商品类别

晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

起订量

--最小包装量--

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FJV4110RMTF ON Semiconductor TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

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ON Semiconductor FJV4110RMTF重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数

3
供应商器件包装

SOT-23-3 (TO-236)
Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V
Current-Collector (Ic) (Max)

100mA
hFEMin

100
包装

Tape & Reel (TR)
零件状态

Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
最高工作温度

150°C
最小工作温度

-55°C
电压 - 额定直流

-40V
最大功率耗散

200mW
额定电流

-100mA
极性

PNP
元素配置

Single
功率耗散

200mW
功率 - 最大

200mW
晶体管类型

PNP - Pre-Biased
集电极发射器电压(VCEO)

40V
最大集电极电流

100mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 1mA 5V
最大集极截止电流

100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 1mA, 10mA
电压 - 集射极击穿（最大值）

40V
频率转换

200MHz
发射极基极电压 (VEBO)

-5V
电阻基(R1)

10 kOhms
连续集电极电流

-100mA
RoHS状态

符合RoHS标准
无铅

无铅

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FJV4110RMTF拓展信息

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