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ON Semiconductor FJV4113RMTF

Name: FJV4113RMTF
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1807-FJV4113RMTF
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

FJV4113RMTF

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-FJV4113RMTF

商品类别

晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Transistors Switching - Resistor Biased 50/100mA/2.2K 47K

起订量

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FJV4113RMTF ON Semiconductor Transistors Switching - Resistor Biased 50/100mA/2.2K 47K

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FJV4113RMTF详情

技术参数

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型号对比

ON Semiconductor FJV4113RMTF重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

2 Weeks
生命周期状态

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
安装类型

表面贴装
底架

表面贴装
引脚数

3
质量

30mg
hFEMin

68
Number of Elements

1
Collector-Emitter Saturation Voltage

-300mV
Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V
已出版

2013
包装

Tape & Reel (TR)
JESD-609代码

e3
无铅代码

yes
零件状态

Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
终止次数

3
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

Tin (Sn)
最高工作温度

150°C
最小工作温度

-55°C
HTS代码

8541.21.00.95
电压 - 额定直流

-50V
最大功率耗散

200mW
端子位置

DUAL
终端形式

鸥翼
峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明
额定电流

-100mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明
基本部件号

FJV4113
资历状况

不合格
极性

PNP
元素配置

Single
功率耗散

200mW
晶体管应用

SWITCHING
晶体管类型

PNP - Pre-Biased
集电极发射器电压(VCEO)

50V
最大集电极电流

100mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

68 @ 5mA 5V
最大集极截止电流

100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 500μA, 10mA
转换频率

200MHz
最大击穿电压

50V
频率转换

200MHz
集电极基极电压(VCBO)

-50V
发射极基极电压 (VEBO)

-10V
电阻基(R1)

2.2 k Ω
连续集电极电流

-100mA
电阻-发射极基极(R2)

47 k Ω
宽度

1.3mm
长度

2.92mm
高度

930μm
RoHS状态

ROHS3 Compliant
无铅

无铅

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FJV4113RMTF拓展信息

热销零件