ON Semiconductor FJX3014RTF
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FJX3014RTF
1807-FJX3014RTF
晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
SC-70, SOT-323
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Transistors Switching - Resistor Biased NPN Si Transistor Epitaxial
1最小包装量--
FJX3014RTF详情
ON Semiconductor FJX3014RTF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
LIFETIME (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
6 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-70, SOT-323
引脚数
3
质量
30mg
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Collector-Emitter Saturation Voltage
300mV
Number of Elements
1
hFEMin
68
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
附加功能
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
HTS代码
8541.21.00.95
电压 - 额定直流
50V
最大功率耗散
200mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
额定电流
100mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
FJX3014
资历状况
不合格
极性
NPN
元素配置
Single
功率耗散
200mW
晶体管应用
SWITCHING
晶体管类型
NPN - Pre-Biased
集电极发射器电压(VCEO)
50V
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
68 @ 5mA 5V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 500μA, 10mA
转换频率
250MHz
最大击穿电压
50V
频率转换
250MHz
集电极基极电压(VCBO)
50V
发射极基极电压 (VEBO)
10V
电阻基(R1)
4.7 k Ω
连续集电极电流
100mA
电阻-发射极基极(R2)
47 k Ω
高度
1mm
长度
2mm
宽度
1.25mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FJX3014RTF拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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ON Semiconductor
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