FMB2227A
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ON Semiconductor FMB2227A

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型号

FMB2227A

utmel 编号

1807-FMB2227A

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列

封装

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

交货地

大陆

交期(工作日)

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ROHS

ECAD

简介

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FMB2227A. BIPOLAR TRANSISTOR, NPN & PNP 30V SSOT-6

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FMB2227A
FMB2227A ON Semiconductor FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FMB2227A. BIPOLAR TRANSISTOR, NPN & PNP 30V SSOT-6

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FMB2227A详情

ON Semiconductor FMB2227A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)

  • 工厂交货时间

    4 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

  • 引脚数

    6

  • 质量

    36mg

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    30V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    1.4V

  • Number of Elements

    2

  • hFEMin

    75

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 最大功率耗散

    700mW

  • 终端形式

    鸥翼

  • 额定电流

    500mA

  • 频率

    250MHz

  • 基本部件号

    FMB2227

  • 极性

    NPN, PNP

  • 元素配置

    Dual

  • 功率耗散

    700mW

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 增益带宽积

    250MHz

  • 晶体管类型

    NPN, PNP

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    30V

  • 最大集电极电流

    500mA

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    30 @ 300mA 10V

  • 最大集极截止电流

    30nA ICBO

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    1.4V @ 30mA, 300mA

  • 转换频率

    250MHz

  • 最大击穿电压

    30V

  • 集电极基极电压(VCBO)

    60V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    5V

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

右边的3个型号有着和ON Semiconductor & FMB2227A相似的参数规格。

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FMB2227A拓展信息

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BC847BPDW1T1G
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BC846BDW1T1G
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MC1413BDR2G
MC1413BDR2G

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MMPQ2907A

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NST3946DXV6T1G
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BC857CDW1T1G
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