ON Semiconductor FMBM5401
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FMBM5401
1807-FMBM5401
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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Bipolar Transistors - BJT SSOT6 PNP General Purpose Amplifier
--最小包装量--
FMBM5401详情
ON Semiconductor FMBM5401重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
工厂交货时间
4 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
引脚数
6
质量
36mg
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
150V
Collector-Emitter Saturation Voltage
-200mV
Number of Elements
2
hFEMin
60
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2005
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
电压 - 额定直流
-150V
最大功率耗散
700mW
终端形式
鸥翼
额定电流
-600mA
频率
300MHz
基本部件号
FMBM5401
元素配置
Dual
功率耗散
700mW
晶体管应用
AMPLIFIER
增益带宽积
300MHz
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
150V
最大集电极电流
600mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
60 @ 10mA 5V
最大集极截止电流
50nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 5mA, 50mA
转换频率
100MHz
最大击穿电压
150V
集电极基极电压(VCBO)
-160V
发射极基极电压 (VEBO)
-5V
高度
1.12mm
长度
3mm
宽度
1.68mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FMBM5401拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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