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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.772092
10
¥1.671785
100
¥1.577156
500
¥1.487883
1000
¥1.403663
ON Semiconductor FMB2907A
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- 对比
FMB2907A
1807-FMB2907A
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
大陆
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Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 6-Pin SuperSOT T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FMB2907A详情
ON Semiconductor FMB2907A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
工厂交货时间
5 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
引脚数
6
质量
36mg
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
60V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.6V
Number of Elements
2
hFEMin
100
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
-60V
最大功率耗散
700mW
终端形式
鸥翼
额定电流
-600mA
频率
250MHz
基本部件号
FMB2907
极性
PNP
元素配置
Dual
功率耗散
700mW
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
250MHz
晶体管类型
2 PNP (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
60V
最大集电极电流
600mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 150mA 10V
最大集极截止电流
20nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1.6V @ 50mA, 500mA
转换频率
250MHz
最大击穿电压
60V
集电极基极电压(VCBO)
-60V
发射极基极电压 (VEBO)
-5V
关断时间-最大值(toff)
80ns
接通时间-最大值(ton)
30ns
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FMB2907A拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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