ON Semiconductor FOD617B

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

4-DIP (0.300, 7.62mm)

引脚数

4

供应商器件包装

4-DIP

质量

243.012112mg

Collector-Emitter Saturation Voltage

400mV

Current Transfer Ratio-Min

63% @ 10mA

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~110°C

包装

Tube

已出版

2006

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

110°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

200mW

电压-隔离度

5000Vrms

输出电压

70V

输出类型

Transistor

通道数量

1

电路数量

1

功率耗散

200mW

电压 - 正向 (Vf) (类型)

1.35V

输入类型

DC

正向电流

50mA

最大输出电压

70V

每个通道的输出电流

50mA

上升时间

18μs

正向电压

1.65V

下降时间（典型值）

18 μs

集电极发射器电压(VCEO)

70V

最大集电极电流

50mA

上升/下降时间(Typ)

4μs 3μs

反向击穿电压

6V

最大输入电流

50mA

最大直流驱动电流（If）

50mA

输入电流

20mA

电流传输比（最大）

125% @ 10mA

Vce 饱和度（最大值）

400mV

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅