ON Semiconductor FOD8143S

工厂交货时间

7 Weeks

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

包装/外壳

4-SMD, Gull Wing

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

4

质量

0g

Number of Elements

1

Current Transfer Ratio-Min

20% @ 1mA

Collector-Emitter Saturation Voltage

200mV

已出版

2009

包装

Tube

操作温度

-55°C~105°C

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

UL APPROVED, VDE APPROVED

最大功率耗散

200mW

电压-隔离度

5000Vrms

输出电压

70V

输出类型

Transistor

配置

SINGLE

功率耗散

200mW

电压 - 正向 (Vf) (类型)

1.2V

输入类型

AC, DC

正向电流

50mA

最大输出电压

70V

每个通道的输出电流

50mA

上升时间

18μs

下降时间（典型值）

18 μs

集电极发射器电压(VCEO)

200mV

最大集电极电流

50mA

上升/下降时间(Typ)

4μs 3μs

最大输入电流

50mA

输入电流

50mA

电流传输比（最大）

300% @ 1mA

RoHS状态

ROHS3 Compliant

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅