ON Semiconductor FOD815W

包装/外壳

4-DIP (0.400, 10.16mm)

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

4

供应商器件包装

4-DIP

Number of Elements

1

Current Transfer Ratio-Min

600% @ 1mA

Collector-Emitter Saturation Voltage

1V

操作温度

-30°C~105°C

包装

Tube

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

105°C

最小工作温度

-30°C

最大功率耗散

200mW

电压-隔离度

5000Vrms

输出电压

35V

输出类型

Darlington

通道数量

1

功率耗散

200mW

电压 - 正向 (Vf) (类型)

1.2V

输入类型

DC

正向电流

50mA

每个通道的输出电流

80mA

上升时间

300μs

正向电压

1.4V

下降时间（典型值）

250 μs

集电极发射器电压(VCEO)

35V

最大集电极电流

80mA

上升/下降时间(Typ)

60μs 53μs

最大直流驱动电流（If）

50mA

输入电流

50mA

电流传输比（最大）

7500% @ 1mA

Vce 饱和度（最大值）

1V

RoHS状态

符合RoHS标准