ON Semiconductor FOD817B

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

7 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

4-DIP (0.300, 7.62mm)

引脚数

4

质量

408mg

Collector-Emitter Saturation Voltage

200mV

Current Transfer Ratio-Min

130% @ 5mA

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~110°C

包装

Tube

已出版

2002

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

附加功能

UL认证

最大功率耗散

200mW

电压-隔离度

5000Vrms

输出电压

70V

输出类型

Transistor

配置

SINGLE

功率耗散

200mW

电压 - 正向 (Vf) (类型)

1.2V

输入类型

DC

正向电流

50mA

最大输出电压

70V

每个通道的输出电流

50mA

上升时间

18μs

下降时间（典型值）

18 μs

集电极发射器电压(VCEO)

200mV

最大集电极电流

50mA

上升/下降时间(Typ)

4μs 3μs

反向击穿电压

6V

最大输入电流

50mA

输入电流

20mA

电流传输比（最大）

260% @ 5mA

高度

6.35mm

长度

6.35mm

宽度

6.35mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅