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首页 隔离器 光隔离器 - 晶体管，光电输出 FOD817D
FOD817D
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ON Semiconductor FOD817D

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型号

FOD817D

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-FOD817D

商品类别

光隔离器 - 晶体管，光电输出

封装

4-DIP (0.300, 7.62mm)

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

OPTOISOLATOR 5KV TRANSISTOR 4DIP

起订量

--最小包装量--

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FOD817D
FOD817D ON Semiconductor OPTOISOLATOR 5KV TRANSISTOR 4DIP

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FOD817D详情

技术参数

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型号对比

ON Semiconductor FOD817D重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

  • 工厂交货时间

    7 Weeks

  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    4-DIP (0.300, 7.62mm)

  • 引脚数

    4

  • 质量

    408mg

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    200mV

  • Current Transfer Ratio-Min

    300% @ 5mA

  • Number of Elements

    1

  • 操作温度

    -55°C~110°C

  • 包装

    Tube

  • 已出版

    2009

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 附加功能

    UL认证

  • 最大功率耗散

    200mW

  • 电压-隔离度

    5000Vrms

  • 输出电压

    70V

  • 输出类型

    Transistor

  • 配置

    SINGLE

  • 功率耗散

    200mW

  • 电压 - 正向 (Vf) (类型)

    1.2V

  • 输入类型

    DC

  • 正向电流

    50mA

  • 最大输出电压

    70V

  • 每个通道的输出电流

    50mA

  • 上升时间

    18μs

  • 下降时间（典型值）

    18 μs

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    200mV

  • 最大集电极电流

    50mA

  • 上升/下降时间(Typ)

    4μs 3μs

  • 反向击穿电压

    6V

  • 最大输入电流

    50mA

  • 输入电流

    50mA

  • 电流传输比（最大）

    600% @ 5mA

  • 辐射硬化

    无

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

技术文档: ON Semiconductor FOD817D.

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右边的3个型号有着和ON Semiconductor & FOD817D相似的参数规格。

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    品牌
    Package / Case
    Number of Pins
    Voltage - Isolation
    Current Transfer Ratio (Max)
    Current Transfer Ratio (Min)
    Max Output Voltage
    Output Voltage
    Forward Current
    查看对比:
  • FOD817D

    FOD817D

    ON Semiconductor

    4-DIP (0.300, 7.62mm)

    4

    5000Vrms

    600% @ 5mA

    300% @ 5mA

    70 V

    70 V

    50 mA

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS
优势产品

选择时请仔细核对商品参数信息

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