ON Semiconductor FODM121CR2V

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

7 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-SMD, Gull Wing

引脚数

4

Collector-Emitter Saturation Voltage

400mV

Current Transfer Ratio-Min

100% @ 5mA

Number of Elements

1

操作温度

-40°C~110°C

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2009

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

附加功能

UL RECOGNIZED, VDE APPROVED

最大功率耗散

150mW

电压-隔离度

3750Vrms

输出电压

80V

输出类型

Transistor

配置

SINGLE

通道数量

1

功率耗散

150mW

电压 - 正向 (Vf) (类型)

1.3V Max

输入类型

DC

正向电流

50mA

最大输出电压

80V

每个通道的输出电流

80mA

集电极发射器电压(VCEO)

80V

最大集电极电流

80mA

上升/下降时间(Typ)

3μs 3μs

反向击穿电压

6V

最大输入电流

50mA

电流传输比（最大）

200% @ 5mA

RoHS状态

ROHS3 Compliant