ON Semiconductor FODM8801BR2

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

10 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-SOIC (0.173, 4.40mm Width)

引脚数

4

质量

120mg

Collector-Emitter Saturation Voltage

400mV

Current Transfer Ratio-Min

130% @ 1mA

Number of Elements

1

操作温度

-40°C~125°C

包装

Tape & Reel (TR)

系列

OptoHit™

已出版

2015

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

附加功能

UL 认证

最大功率耗散

40mW

电压-隔离度

3750Vrms

输出电压

75V

输出类型

Transistor

配置

SINGLE

通道数量

1

功率耗散

150mW

电压 - 正向 (Vf) (类型)

1.35V

输入类型

DC

正向电流

20mA

最大输出电压

75V

每个通道的输出电流

30mA

上升时间

5μs

下降时间（典型值）

5.5 μs

集电极发射器电压(VCEO)

400mV

最大集电极电流

30mA

上升/下降时间(Typ)

5μs 5.5μs

反向击穿电压

6V

最大输入电流

20mA

输入电流

10mA

电流传输比（最大）

260% @ 1mA

接通 / 关断时间（典型值）

6μs, 6μs

响应时间-最大

0.00002s

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant