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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥12.749691
10
¥12.02801
100
¥11.347177
500
¥10.704883
1000
¥10.098952
ON Semiconductor FODM8801BR2V
- 收藏
- 对比
FODM8801BR2V
1807-FODM8801BR2V
光隔离器 - 晶体管,光电输出
4-SOIC (0.173, 4.40mm Width)
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Transistor Output Optocouplers VDE tested, OptoHiT Hi Temp Phototranstr
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¥
总价: ¥
FODM8801BR2V详情
ON Semiconductor FODM8801BR2V重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
10 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
4-SOIC (0.173, 4.40mm Width)
引脚数
4
质量
120mg
Collector-Emitter Saturation Voltage
400mV
Current Transfer Ratio-Min
130% @ 1mA
Number of Elements
1
操作温度
-40°C~125°C
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptoHit™
已出版
2015
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
附加功能
UL 认证
最大功率耗散
150mW
电压-隔离度
3750Vrms
输出类型
Transistor
配置
SINGLE
通道数量
1
功率耗散
150mW
电压 - 正向 (Vf) (类型)
1.35V
输入类型
DC
正向电流
1mA
最大输出电压
75V
每个通道的输出电流
30mA
集电极发射器电压(VCEO)
400mV
最大集电极电流
30mA
上升/下降时间(Typ)
5μs 5.5μs
反向击穿电压
6V
最大输入电流
20mA
最大直流驱动电流(If)
20mA
电流传输比(最大)
260% @ 1mA
接通 / 关断时间(典型值)
6μs, 6μs
响应时间-最大
0.00002s
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FODM8801BR2V拓展信息







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