ON Semiconductor FQB25N33TM

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

25A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3.1W Ta 250W Tc

Turn Off Delay Time

90 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

QFET®

已出版

2006

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.95

电压 - 额定直流

330V

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

245

额定电流

25A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

3.1W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

230m Ω @ 12.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2010pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

75nC @ 15V

上升时间

100ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

70 ns

连续放电电流(ID)

25A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

330V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

100A

雪崩能量等级（Eas）

370 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅