ON Semiconductor FQB34N20LTM

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 21 hours ago)

工厂交货时间

4 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

2

质量

1.31247g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

31A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3.13W Ta 180W Tc

Turn Off Delay Time

170 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

系列

QFET®

已出版

2000

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

电阻

75mOhm

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

200V

终端形式

鸥翼

额定电流

31A

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

3.13W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

45 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

75m Ω @ 15.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3900pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

72nC @ 5V

上升时间

520ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

370 ns

连续放电电流(ID)

31A

阈值电压

2V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

200V

双电源电压

200V

雪崩能量等级（Eas）

640 mJ

栅源电压

2 V

反馈上限-最大值 (Crss)

67 pF

高度

4.83mm

长度

10.67mm

宽度

9.65mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅