ON Semiconductor FQD2N90TF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

质量

260.37mg

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.7A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta 50W Tc

Turn Off Delay Time

20 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

5V @ 250μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

QFET®

已出版

2016

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电压 - 额定直流

900V

额定电流

1.7A

元素配置

Single

功率耗散

2.5W

接通延迟时间

15 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

7.2 Ω @ 850mA, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

500pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

15nC @ 10V

上升时间

35ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

30 ns

连续放电电流(ID)

1.7A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

900V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅