ON Semiconductor FQD30N06TM

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

11 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

质量

260.37mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

22.7A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta 44W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

QFET®

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

45m Ω @ 11.4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

945pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

25nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±25V

连续放电电流(ID)

22.7A

栅极至源极电压(Vgs)

25V

漏极-源极导通最大电阻

0.045Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

90.8A

DS 击穿电压-最小值

60V

雪崩能量等级（Eas）

280 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅