ON Semiconductor FQD9N25TM-F085

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7.4A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta 55W Tc

Turn Off Delay Time

25 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101, QFET®

JESD-609代码

e3

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

55W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

13 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

420m Ω @ 3.7A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

700pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

20nC @ 10V

上升时间

105ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

45 ns

连续放电电流(ID)

7.4A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

250V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

29.6A

雪崩能量等级（Eas）

165 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant