ON Semiconductor FQN1N60CTA

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

14 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

引脚数

3

质量

240mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

300mA Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1W Ta 3W Tc

Turn Off Delay Time

13 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Box (TB)

系列

QFET®

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

11.5Ohm

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

BOTTOM

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1W

接通延迟时间

7 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

11.5 Ω @ 150mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

170pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6.2nC @ 10V

上升时间

21ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

27 ns

连续放电电流(ID)

300mA

阈值电压

4V

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

600V

反馈上限-最大值 (Crss)

6 pF

高度

5.33mm

长度

5.2mm

宽度

4.19mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅