STMicroelectronics STQ1NK60ZR-AP

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)

工厂交货时间

8 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

引脚数

3

质量

4.535924g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

300mA Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3W Tc

Turn Off Delay Time

13 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Box (TB)

系列

SuperMESH™

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子位置

BOTTOM

基本部件号

STQ1

引脚数量

3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

3W

接通延迟时间

5.5 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

15 Ω @ 400mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 50μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

94pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6.9nC @ 10V

上升时间

5ns

漏源电压 (Vdss)

600V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

28 ns

连续放电电流(ID)

400mA

阈值电压

3.75V

栅极至源极电压(Vgs)

30V

DS 击穿电压-最小值

600V

雪崩能量等级（Eas）

60 mJ

高度

6.35mm

长度

31.75mm

宽度

12.7mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅